ldd半導體目的、低摻雜汲極、ldd結構在PTT/mobile01評價與討論，在ptt社群跟網路上大家這樣說
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2019年8月4日 — LDD 後熱處理工藝的主要目的是激活pocket 和LDD 注入雜質，並修復離子注入引起的晶格缺陷。圖3 所示為SPK 退火溫度從850 ℃ 升高到980 ℃ 過程中PMOSFET ...